Name: Vishay Siliconix SIE836DF-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIE836DF-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SIE836DF-T1-E3

Artikelnummer:

SIE836DF-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 200V 18.3A 10POLARPK

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SIE836DF-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SIE836DF-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	10-PolarPAK® (SH)
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 4.1A, 10V
Verlustleistung (max)	5.2W (Ta), 104W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	10-PolarPAK® (SH)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	18.3A (Tc)
Grundproduktnummer	SIE836
SIE836DF-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SIE836DF-T1-E3 PDF - EN.pdf

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- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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